Bộ nhớ HBM3E của Samsung tiến gần đến việc được NVIDIA chứng nhận, sản xuất hàng loạt sắp bắt đầu

BigGo Editorial Team
Bộ nhớ HBM3E của Samsung tiến gần đến việc được NVIDIA chứng nhận, sản xuất hàng loạt sắp bắt đầu

Bộ nhớ HBM3E của Samsung tiến gần hơn đến việc được NVIDIA chứng nhận

Samsung, gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc, đang đạt được những bước tiến đáng kể trong hành trình phát triển bộ nhớ băng thông cao (HBM), với chip bộ nhớ HBM3E mới nhất được cho là sắp được NVIDIA chứng nhận. Sự phát triển này đánh dấu một cột mốc quan trọng đối với Samsung khi công ty này nhắm đến việc thiết lập vị thế là một nhân tố chủ chốt trong thị trường bộ nhớ hiệu năng cao.

Con đường đến chứng nhận

Các báo cáo gần đây đã làm sáng tỏ tiến trình của Samsung:

  • Samsung đang tích cực tiến hành các bài kiểm tra chất lượng cho bộ nhớ HBM3E của mình
  • Công ty đã đạt đến giai đoạn Phê duyệt Sẵn sàng Sản xuất (PRA)
  • Samsung được cho là đã giải quyết được các vấn đề về tạo nhiệt trước đây với thiết kế HBM của họ

Mặc dù các tin đồn ban đầu cho rằng Samsung đã vượt qua các bài kiểm tra chứng nhận của NVIDIA, công ty đã làm rõ rằng điều này chưa xảy ra. Tuy nhiên, việc chuẩn bị đang diễn ra cho sản xuất hàng loạt cho thấy Samsung tự tin vào tiến độ của mình.

Ý nghĩa đối với ngành công nghiệp

Việc NVIDIA có thể phê duyệt bộ nhớ HBM3E của Samsung có thể có những tác động sâu rộng:

  1. Đa dạng hóa chuỗi cung ứng: NVIDIA sẽ có thêm một nhà cung cấp dung lượng cao cho các sản phẩm sắp tới, bao gồm cả kiến trúc Blackwell được mong đợi.
  2. Cạnh tranh thị trường: Sự gia nhập của Samsung có thể thách thức vị thế thống trị hiện tại của SK hynix trong thị trường HBM.
  3. Năng lực sản xuất: Các báo cáo cho thấy Samsung có thể có năng lực sản xuất HBM lớn nhất, điều này có thể rất quan trọng để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng.
Máy chủ GPU AI NVIDIA Blackwell
Máy chủ GPU AI NVIDIA Blackwell

Lộ trình và sự thay đổi trong sản xuất

Mặc dù chưa có lịch trình sản xuất hàng loạt chính thức nào được công bố, các nhà phân tích ngành dự đoán:

  • Có thể bắt đầu sản xuất hàng loạt vào Q3 2024
  • Có thể bị trì hoãn đến Q1 2025

Đáng chú ý, Samsung đã bắt đầu phân bổ lại nguồn lực sản xuất của mình:

Lên đến 30% công suất sản xuất DRAM hiện tại đã được phân bổ cho HBM3E

Sự thay đổi này nhấn mạnh cam kết của công ty trong việc đáp ứng sự gia tăng dự kiến về nhu cầu HBM, đặc biệt là từ các sản phẩm thế hệ tiếp theo của NVIDIA.

Con đường phía trước

Khi thị trường AI và điện toán hiệu năng cao tiếp tục phát triển, nhu cầu về các giải pháp bộ nhớ tiên tiến như HBM3E được dự đoán sẽ tăng vọt. Tiến độ của Samsung trong lĩnh vực này có thể đặt công ty vào vị trí là một nhà cung cấp quan trọng trong bối cảnh công nghệ đang phát triển.

Mặc dù vẫn chưa có xác nhận chính thức từ cả Samsung và NVIDIA, ngành công nghệ đang háo hức chờ đợi kết quả của sự hợp tác tiềm năng này. Việc chứng nhận thành công và sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM3E của Samsung có thể đánh dấu một sự thay đổi đáng kể trong động lực thị trường bộ nhớ hiệu năng cao.