Thông báo gần đây về công nghệ NAND 321 lớp của Hynix đã làm dấy lên những cuộc thảo luận thú vị trong cộng đồng công nghệ, làm nổi bật cả những tiến bộ đáng kinh ngạc trong công nghệ bộ nhớ flash và những thách thức kỹ thuật đã được vượt qua trong hai thập kỷ qua.
 |
|---|
| Thông báo về NAND 321 lớp của Hynix đánh dấu bước tiến quan trọng trong công nghệ bộ nhớ flash |
Sự phát triển của công nghệ NAND
Hành trình từ những thiết bị NAND đời đầu đến công nghệ 321 lớp ngày nay thể hiện một bước nhảy vọt trong khả năng kỹ thuật. Như một thành viên trong cộng đồng đã nhận xét, ngành công nghiệp bán dẫn đã tiến xa từ thời kỳ mà ngay cả thiết bị 4 lớp cũng gây lo ngại về tính ổn định lượng tử. Sự tiến bộ này cho thấy những đổi mới bền bỉ đã vượt qua được những rào cản kỹ thuật tưởng chừng không thể vượt qua.
Khi tôi còn học về thiết bị NAND (2004-2010), chúng tôi khá lo lắng về tính ổn định lượng tử lâu dài của thiết bị 4 lớp. Đây thực sự là một thành tựu kỹ thuật đáng kinh ngạc.
Vượt qua thuật ngữ marketing: Hiểu về bộ nhớ 4D
Các cuộc thảo luận trong cộng đồng đã làm rõ thuật ngữ marketing về bộ nhớ 4D của Hynix. Thay vì đại diện cho chiều vật lý thứ tư, nó chỉ một đổi mới về kiến trúc, trong đó mạch điều khiển được xếp chồng bên dưới các lớp bộ nhớ thay vì bên cạnh. Lựa chọn thiết kế này tối ưu hóa việc sử dụng không gian và cải thiện hiệu quả tổng thể thông qua công nghệ được gọi là Periphery Under Cell (PUC).
Thách thức và giải pháp trong sản xuất
Thành tựu xếp chồng hơn 300 lớp thể hiện một bước đột phá đáng kể trong sản xuất. Cộng đồng đã nhấn mạnh cách công nghệ quy trình 3 phích cắm của Hynix, kết hợp với vật liệu chịu ứng suất thấp và hiệu chỉnh căn chỉnh tự động, thể hiện độ tin cậy sản xuất đáng chú ý. Tiến bộ này đặc biệt đáng ghi nhận khi xét đến độ phức tạp trong việc duy trì tỷ lệ sản xuất chấp nhận được với nhiều lớp như vậy.
Thông số kỹ thuật chính của NAND 321 lớp của Hynix:
- Số lớp: 321 lớp
- Loại cell: Dựa trên công nghệ cell ba mức
- Dung lượng: 1Tb
- Cải thiện hiệu năng so với phiên bản 238 lớp:
- Thời gian ghi: nhanh hơn 12%
- Thời gian đọc: nhanh hơn 13%
- Năng suất: tăng 59%
 |
|---|
| Một cơ sở công nghiệp hiện đại hỗ trợ những tiến bộ trong sản xuất công nghệ NAND |
Sửa lỗi và độ tin cậy
Một khía cạnh quan trọng được cộng đồng kỹ thuật thảo luận là vai trò của việc sửa lỗi trong bộ nhớ flash hiện đại. Mặc dù công nghệ đã tiến bộ đáng kể, tất cả các phương tiện lưu trữ kỹ thuật số vẫn phụ thuộc vào mã sửa lỗi và ánh xạ lại sector để duy trì tính toàn vẹn dữ liệu. Hiểu biết này giúp giải thích cách các nhà sản xuất đạt được độ tin cậy thực tế bất chấp độ phức tạp ngày càng tăng của thiết bị.
Sự phát triển của công nghệ NAND 321 lớp không chỉ mở rộng giới hạn của những điều có thể trong bộ nhớ flash mà còn thể hiện khả năng của ngành công nghiệp bán dẫn trong việc vượt qua những thách thức kỹ thuật phức tạp thông qua các giải pháp sáng tạo và sự hoàn thiện liên tục của quy trình sản xuất.
Nguồn tham khảo: Hynix ra mắt NAND 321 lớp