Flagship tiếp theo của Realme có thể trang bị pin 8.000mAh với công nghệ Silicon-Carbon đột phá

BigGo Editorial Team
Flagship tiếp theo của Realme có thể trang bị pin 8.000mAh với công nghệ Silicon-Carbon đột phá

Trong thời đại mà thời lượng pin smartphone vẫn là mối quan tâm hàng đầu của người dùng, Realme đang đẩy mạnh ranh giới của công nghệ pin di động. Sau khi ra mắt thành công model GT 7 Pro với pin ấn tượng 6.500mAh, hãng hiện đang nghiên cứu những cấu hình pin tham vọng hơn cho thiết bị flagship thế hệ tiếp theo.

Thông số kỹ thuật hiện tại của GT 7 Pro:

  • Dung lượng pin: 6.500mAh
  • Độ dày thiết bị: 8,55mm
  • Công nghệ: Pin với cực âm silicon-carbon

Đổi mới công nghệ Silicon-Carbon

Nền tảng của sự tiến bộ về pin của Realme nằm ở công nghệ pin anot silicon-carbon. Cách tiếp cận đổi mới này kết hợp silicon và carbon để tạo ra những viên pin có mật độ năng lượng cao hơn đáng kể trong khi vẫn duy trì kích thước thiết bị hợp lý. GT 7 Pro đã chứng minh khả năng này bằng việc trang bị pin 6.500mAh trong thiết kế mỏng chỉ 8,55mm, thiết lập một tiêu chuẩn mới về dung lượng pin trên các thiết bị flagship.

Các tùy chọn pin thế hệ mới

Theo nguồn tin đáng tin cậy từ Digital Chat Station, Realme hiện đang đánh giá ba cấu hình pin khác nhau cho flagship sắp tới, có thể là GT 8 Pro. Mỗi tùy chọn mang đến sự cân bằng độc đáo giữa dung lượng và khả năng sạc:

Cấu hình tham vọng nhất có pin chưa từng có 8.000mAh với sạc 80W, cần khoảng 70 phút để sạc đầy. Tùy chọn trung gian cung cấp dung lượng 7.500mAh với sạc 100W, hoàn thành việc sạc đầy trong khoảng 55 phút. Phiên bản thứ ba cung cấp pin 7.000mAh với sạc 120W, đạt sạc đầy chỉ trong 42 phút.

Các tùy chọn cấu hình pin:

  • Pin 8.000mAh với sạc nhanh 80W (sạc đầy trong 70 phút)
  • Pin 7.500mAh với sạc nhanh 100W (sạc đầy trong 55 phút)
  • Pin 7.000mAh với sạc nhanh 120W (sạc đầy trong 42 phút)

Tác động thị trường và cạnh tranh

Những phát triển này đưa Realme lên vị trí tiên phong trong công nghệ pin smartphone. Khi so sánh với các sản phẩm đầu bảng hiện tại như iPhone và dòng Samsung Galaxy, vốn thường có tốc độ sạc thấp hơn và dung lượng pin nhỏ hơn, thông số đề xuất của Realme thể hiện một bước tiến đáng kể. Việc tích hợp các bộ vi xử lý hiệu quả như Snapdragon 8 Elite có thể tối ưu hóa hơn nữa mức tiêu thụ điện năng, tiềm năng mang lại thời lượng pin kéo dài nhiều ngày.

Ý nghĩa tương lai

Nếu những thông số kỹ thuật này được hiện thực hóa vào năm 2025 như dự kiến, chúng có thể cách mạng hóa thói quen sử dụng smartphone. Sự kết hợp giữa dung lượng pin lớn và tốc độ sạc tương đối nhanh có thể loại bỏ thói quen sạc pin hàng ngày mà nhiều người dùng hiện đang phải đối mặt, đánh dấu một cột mốc quan trọng trong sự phát triển của thiết bị di động.