Đột phá trong Công nghệ Nguồn sáng EUV: HIT Phát triển Hệ thống DPP 13.5nm

BigGo Editorial Team
Đột phá trong Công nghệ Nguồn sáng EUV: HIT Phát triển Hệ thống DPP 13.5nm

Ngành công nghiệp bán dẫn đang chứng kiến một bước phát triển có thể thay đổi cuộc chơi khi Viện Công nghệ Harbin ( HIT ) công bố đột phá trong công nghệ nguồn sáng cực tím cực ngắn ( EUV ), đánh dấu một bước tiến quan trọng trong nỗ lực phát triển năng lực sản xuất bán dẫn tiên tiến của Trung Quốc.

Bước đột phá của HIT trong công nghệ nguồn sáng EUV đánh dấu một bước tiến quan trọng cho năng lực sản xuất chất bán dẫn của Trung Quốc
Bước đột phá của HIT trong công nghệ nguồn sáng EUV đánh dấu một bước tiến quan trọng cho năng lực sản xuất chất bán dẫn của Trung Quốc

Công nghệ DPP đột phá

HIT đã phát triển thành công nguồn sáng EUV 13.5nm sử dụng công nghệ Plasma tạo ra bởi Phóng điện ( DPP ), khác biệt so với phương pháp Plasma tạo ra bởi Laser ( LPP ) truyền thống được sử dụng bởi công ty dẫn đầu ngành Cymer . Phương pháp sáng tạo này sử dụng bức xạ gia tốc hạt thay vì công nghệ thấu kính, cho thấy hiệu quả và độ chính xác cao hơn mặc dù có độ phức tạp kỹ thuật cao hơn.

Thông số kỹ thuật:

  • Bước sóng nguồn sáng: 13.5nm
  • Loại công nghệ: DPP (Plasma Phóng Điện)
  • Các thành phần chính: Hệ thống nguồn sáng, hệ thống thấu kính quang học, hệ thống hai giai đoạn, hệ thống điều khiển
Máy móc công nghiệp tiên tiến này tượng trưng cho công nghệ DPP đổi mới của HIT cho nguồn sáng EUV 135nm
Máy móc công nghiệp tiên tiến này tượng trưng cho công nghệ DPP đổi mới của HIT cho nguồn sáng EUV 135nm

Ưu điểm kỹ thuật

Hệ thống mới dựa trên DPP có nhiều ưu điểm đáng kể, bao gồm hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao, chi phí vận hành thấp hơn và thiết kế nhỏ gọn. Công nghệ này cho thấy tiềm năng vượt qua giới hạn của Định luật Moore trong khi có khả năng giảm chi phí tổng thể của sản xuất chip. Việc phát triển hệ thống đã vượt qua các giai đoạn thử nghiệm quan trọng, với HIT đã đăng ký bảy bằng sáng chế cốt lõi liên quan đến công nghệ này.

Đầu tư và Lộ trình phát triển

Dự án đã được phê duyệt khoản đầu tư 11 tỷ đô la Mỹ, do công ty con của Tập đoàn Thiết bị Chính xác Quốc gia tại Harbin dẫn đầu. Lộ trình phát triển cho thấy tiến độ đáng kể, với mẫu prototype đầu tiên ra mắt năm 2022, tiếp theo là mô hình hoạt động vào năm 2023, và thử nghiệm quan trọng thành công vào đầu năm 2024.

Chi tiết đầu tư:

  • Tổng vốn đầu tư: 11 tỷ USD
  • Tổ chức chủ đầu tư: Công ty con tại Harbin của Tập đoàn National Instruments Precision
  • Số bằng sáng chế đã đăng ký: 7 công nghệ cốt lõi

Tác động đến ngành và Triển vọng tương lai

Mặc dù đột phá này thể hiện một bước tiến quan trọng, các chuyên gia trong ngành lưu ý rằng vẫn còn nhiều thách thức trước khi thương mại hóa hoàn toàn. Những thách thức này bao gồm cải thiện độ ổn định nguồn sáng, tối ưu hóa hệ thống và thích ứng thương mại. Theo các nhà phân tích ngành, thiết bị quang khắc EUV nội địa có thể sẽ có mặt trên thị trường trong khoảng 2026-2028, có khả năng định hình lại cục diện cạnh tranh của ngành công nghiệp bán dẫn toàn cầu.

Tiến trình phát triển:

  • 2022: Mẫu thử nghiệm ban đầu
  • 2023: Hoàn thành mô hình hoạt động
  • 2024: Vượt qua giai đoạn kiểm tra trọng yếu
  • 2026-2028: Dự kiến ra mắt thương mại

Ảnh hưởng thị trường

Sự phát triển này có thể có những tác động sâu rộng đối với các công ty như SMIC , hiện đang phải đối mặt với các hạn chế trong việc tiếp cận thiết bị sản xuất bán dẫn tiên tiến. Thành công trong việc phát triển công nghệ EUV nội địa có thể giúp các nhà sản xuất bán dẫn Trung Quốc vượt qua rào cản công nghệ hiện tại và cạnh tranh hiệu quả hơn trên thị trường toàn cầu.