Chipset di động thế hệ tiếp theo của Qualcomm đang tạo ra sự chú ý đáng kể trong giới công nghệ khi những thông tin rò rỉ mới tiết lộ những nâng cấp đáng kể so với người tiền nhiệm. Snapdragon 8 Elite Gen 2 sắp ra mắt đang được định hình là một powerhouse với kiến trúc cải tiến, quy trình sản xuất tiên tiến và hỗ trợ các tiêu chuẩn bộ nhớ tân tiến, có khả năng đưa Qualcomm vào vị thế thách thức sự thống trị của Apple trong hiệu suất silicon di động.
Quy trình sản xuất 3nm tiên tiến của TSMC
Snapdragon 8 Elite Gen 2 được cho là đang được sản xuất trên quy trình 3nm thế hệ thứ ba của TSMC (N3P), đánh dấu một bước nâng cấp đáng kể so với quy trình N3E được sử dụng trong Snapdragon 8 Elite hiện tại. Công nghệ sản xuất tiên tiến này được kỳ vọng sẽ mang lại những cải tiến đáng kể về cả hiệu suất năng lượng và khả năng hiệu suất thô. Việc chuyển sang quy trình sản xuất tinh vi hơn phù hợp với chiến lược của Qualcomm trong việc mở rộng giới hạn điện toán di động trong khi vẫn duy trì mức tiêu thụ điện năng hợp lý cho các smartphone cao cấp.
Thông số kỹ thuật được đồn đoán của Snapdragon 8 Elite Gen 2:
- Quy trình sản xuất: Quy trình 3nm thế hệ thứ ba của TSMC (N3P)
- Bộ nhớ đệm: 16MB mỗi cụm (tăng từ 12MB ở thế hệ trước)
- Hỗ trợ bộ nhớ: LPDDR6 với khả năng tương thích ngược với LPDDR5X
- CPU: Lõi "Pegasus" cải tiến được thử nghiệm ở mức 5.00GHz
- Cấu hình CPU: Hai lõi Prime và sáu lõi Performance
- GPU: Adreno 840 với xung nhịp 1.35GHz (tăng từ 1.1GHz)
- Cải thiện hiệu suất: Khoảng 30% dựa trên thử nghiệm ban đầu
- Điểm AnTuTu được đồn đoán: 3.8 triệu điểm (so với điểm cao nhất hiện tại khoảng 2.7 triệu)
- Tính năng bổ sung: Hỗ trợ Scalable Matrix Extension (SME) của ARM
Tăng đáng kể kích thước bộ nhớ đệm
Theo thông tin được Digital Chat Station chia sẻ trên Weibo, Snapdragon 8 Elite Gen 2 sẽ có sự gia tăng đáng kể về kích thước bộ nhớ đệm so với người tiền nhiệm. Trong khi Snapdragon 8 Elite hiện tại bao gồm 12MB bộ nhớ đệm L2 mỗi cluster (tổng cộng 24MB), chipset sắp tới được đồn đoán sẽ tăng lên 16MB mỗi cluster, có khả năng dẫn đến tổng cộng 32MB bộ nhớ đệm L2. Sự gia tăng 33,3% về kích thước bộ nhớ đệm này sẽ cải thiện đáng kể tốc độ truy cập dữ liệu và khả năng phản hồi tổng thể của hệ thống, đặc biệt là đối với các ứng dụng đòi hỏi nhiều bộ nhớ và các tình huống đa nhiệm.
Hỗ trợ bộ nhớ thế hệ tiếp theo
Trong một động thái hướng tới tương lai, Snapdragon 8 Elite Gen 2 được cho là sẽ hỗ trợ RAM LPDDR6, sự tiến hóa tiếp theo trong công nghệ bộ nhớ di động. Sự bổ sung này sẽ khiến nó trở thành một trong những nền tảng di động đầu tiên áp dụng tiêu chuẩn bộ nhớ mới, nhanh hơn và hiệu quả hơn này. Tuy nhiên, việc duy trì khả năng tương thích ngược với bộ nhớ LPDDR5X mang lại cho các nhà sản xuất thiết bị sự linh hoạt trong việc lựa chọn thành phần, cho phép họ cân bằng giữa hiệu suất tiên tiến và chi phí sản xuất tùy thuộc vào thị trường mục tiêu và mức giá của họ.
Cải tiến hiệu suất và kỳ vọng điểm chuẩn
Kết quả thử nghiệm ban đầu cho thấy Snapdragon 8 Elite Gen 2 có thể mang lại hiệu suất tốt hơn khoảng 30% so với các sản phẩm hiện tại. Mặc dù điểm so sánh cụ thể không được nêu rõ, các tin đồn về điểm chuẩn riêng biệt vẽ nên một bức tranh thậm chí còn ấn tượng hơn. Các thông tin rò rỉ trước đây đề cập đến điểm AnTuTu tiềm năng đạt 3,8 triệu điểm, đại diện cho sự cải thiện khoảng 40% so với các thiết bị hàng đầu hiện nay đạt khoảng 2,7 triệu điểm với Snapdragon 8 Elite hiện tại.
Kiến trúc CPU nâng cao
Sự gia tăng hiệu suất dường như xuất phát từ nhiều cải tiến về kiến trúc. Snapdragon 8 Elite Gen 2 dự kiến sẽ sử dụng các lõi Pegasus cải tiến, được báo cáo là đã được thử nghiệm ở tốc độ đạt tới 5,00GHz. Chipset này có khả năng sẽ duy trì sắp xếp cluster CPU tương tự như người tiền nhiệm nhưng với khả năng được nâng cao đáng kể. Ngoài ra, SoC được cho là hỗ trợ Scalable Matrix Extension (SME) của ARM, có khả năng mang lại hiệu suất tốt hơn tới 20% trong các khối lượng công việc đa lõi—có thể đủ để thách thức chip M4 của Apple trong một số tình huống nhất định.
Tiến bộ GPU
Xử lý đồ họa cũng nhận được sự chú ý trong chu kỳ nâng cấp này. Snapdragon 8 Elite Gen 2 dự kiến sẽ có GPU Adreno 840, với xung nhịp khoảng 1,35GHz—một sự gia tăng đáng kể so với mức 1,1GHz của Adreno 830 trong thế hệ hiện tại. Kết hợp với quy trình sản xuất cải tiến và bộ nhớ đệm lớn hơn, các trò chơi di động và tác vụ tính toán sẽ thấy những cải tiến hiệu suất đáng kể.
Thời gian ra mắt
Mặc dù những thông tin rò rỉ này cung cấp một cái nhìn thú vị về nền tảng di động hàng đầu tiếp theo của Qualcomm, xác nhận chính thức vẫn đang chờ đợi. Các nhà quan sát trong ngành kỳ vọng Qualcomm sẽ giới thiệu Snapdragon 8 Elite Gen 2 tại Hội nghị thượng đỉnh Snapdragon thường niên vào cuối năm nay, nơi các thông số kỹ thuật đầy đủ và số liệu hiệu suất sẽ được công bố chính thức. Cho đến lúc đó, những tin đồn này, mặc dù đầy hứa hẹn, nên được tiếp cận với sự thận trọng thích hợp.